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單片機(jī)參考文獻(xiàn)！

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本文目錄一覽：

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• 3、求?。纹瑱C(jī)參考文獻(xiàn)！
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單片機(jī)原理的參考文獻(xiàn)有哪些

單片機(jī)原理參考文獻(xiàn)：

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擴(kuò)展資料：

單片機(jī)原理是指一種在線式實(shí)時(shí)控制計(jì)算機(jī)的原理方式。在線式就是現(xiàn)場(chǎng)控制，需要的是有較強(qiáng)的抗干擾能力，較低的成本，這也是和離線式計(jì)算機(jī)(比如家用PC)的主要區(qū)別。

單片機(jī)就是一個(gè)微型電腦，它是靠程序工作的，并且可以修改。通過(guò)不同的程序?qū)崿F(xiàn)不同的功能。

求單片機(jī)參考文獻(xiàn)，中文的有相應(yīng)的外文翻譯

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求！！單片機(jī)參考文獻(xiàn)！

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求4篇關(guān)于單片機(jī)和機(jī)械手的參考文獻(xiàn)

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pic 單片機(jī) 參考文獻(xiàn)

PIC8位單片機(jī)基于單片機(jī)的智能魚(yú)缸設(shè)計(jì)參考文獻(xiàn)有哪些的基本組成

PIC系列8位單片機(jī)為適應(yīng)各種不同的用途，有多種型號(hào)可供選用。但是，盡管PIC單片機(jī)有不同的檔次和型號(hào)，但其最基本的組成則大同小異。因此，在這里先從型號(hào)PIC16F84的單片機(jī)入手，討論其基本組成。PIC16F84是雙列直插式(DIP)塑料封裝，最大時(shí)鐘頻率可達(dá)4MHz。現(xiàn)為Microchip公司的獨(dú)家產(chǎn)品，關(guān)于其具體技術(shù)指標(biāo)，可查閱該公司的產(chǎn)品手冊(cè)，或在網(wǎng)址上查找。

PIC16F84單片機(jī)的引腳排列可參閱本期本版的16F8X系列簡(jiǎn)介一文。本文的附圖是該器件的主要組成部分。PIC16F84雖然體積不大，但仍然是一個(gè)完整的計(jì)算機(jī)，它有一個(gè)中央處理器(CPU)、程序存儲(chǔ)器(ROM)、數(shù)據(jù)寄存器(RAM)和兩個(gè)輸入/輸出口(I/O口)。

和其它品種的單片機(jī)一樣，CPU是此單片機(jī)的“首腦”，它從程序存儲(chǔ)器中讀取和執(zhí)行指令。在取指和執(zhí)行時(shí)，還可同時(shí)對(duì)數(shù)據(jù)寄存器進(jìn)行取數(shù)(前已介紹PIC16F84采用哈佛結(jié)構(gòu))。由附圖可明顯看出，程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有一條總線與CPU相連。有些CPU將CPU內(nèi)部的寄存器與其外部的RAM是分開(kāi)管理的，但PIC單片機(jī)不是這樣，它的通用數(shù)據(jù)RAM也歸為寄存器，稱為File寄存器。在PC16F84中，有68個(gè)字節(jié)的通用RAM，其地址為0CH～4FH。

除基于單片機(jī)的智能魚(yú)缸設(shè)計(jì)參考文獻(xiàn)有哪些了通用數(shù)據(jù)寄存器外，還有一些專(zhuān)用寄存器，其中最常用的工作寄存器為“W寄存器”。CPU將工作數(shù)據(jù)存放在W寄存器中。寄存器W的作用與其它單片機(jī)中的“累加器A”相似。此外，還有幾個(gè)專(zhuān)用寄存器，它們分別以某種方式控制PIC的運(yùn)作。

PIC16F84的程序存儲(chǔ)器是由Flash(閃速)EPROM構(gòu)成，它可用電來(lái)記錄和擦除，而在斷電時(shí)，仍可保留其內(nèi)容。PIC單片機(jī)有些型號(hào)的程序存儲(chǔ)器用的是EPROM，需要用紫外線來(lái)擦除；還有一些型號(hào)是一次性可編程(OTP)的產(chǎn)品(一經(jīng)編程便不能再擦除)。

PIC16F84有兩個(gè)輸入/輸出口，即A口和B口。每個(gè)口的每個(gè)引腳可單獨(dú)設(shè)定為輸入或輸出。各個(gè)口的位是從0開(kāi)始編號(hào)的。當(dāng)A口為輸出方式時(shí)，其第4位(即RA4)為開(kāi)路集電極(或開(kāi)路漏極)輸出，而B(niǎo)口及A口其它各位為常規(guī)的全CMOS驅(qū)動(dòng)電路。這些功能必須注意，否則會(huì)在編程時(shí)出錯(cuò)。CPU對(duì)每個(gè)端口都按一個(gè)字節(jié)8位來(lái)處理，但A口只有5位引腳。

PIC輸入與COMS兼容，所以PIC輸出可驅(qū)動(dòng)TTL或CMOS邏輯芯片。每個(gè)輸出引腳可以流出或吸入20mA電流，即使一次只用了一個(gè)引腳亦是如此。

摘 要：在介紹空調(diào)室內(nèi)機(jī)控制器功能的基礎(chǔ)上，從軟件的規(guī)劃著手，詳細(xì)介紹了室內(nèi)機(jī)軟件的總體設(shè)計(jì)過(guò)程、詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程以及編碼的實(shí)現(xiàn)，并在此基礎(chǔ)上重點(diǎn)給出了空調(diào)室內(nèi)機(jī)運(yùn)行模式的特點(diǎn)和結(jié)合這些特點(diǎn)如何用MPLAB集成開(kāi)發(fā)環(huán)境去實(shí)現(xiàn)各運(yùn)行模式。

關(guān)鍵詞：空調(diào)；控制器；單片機(jī)；軟件設(shè)計(jì)

單片機(jī)軟件實(shí)現(xiàn)是單片機(jī)系統(tǒng)應(yīng)用的重點(diǎn)，他是在硬件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)程序設(shè)計(jì)的重要環(huán)節(jié)。單片機(jī)程序設(shè)計(jì)一般包括以下幾個(gè)步驟：軟件規(guī)劃、流程圖編制、代碼編寫(xiě)。由于單片機(jī)系統(tǒng)具有軟硬件緊密結(jié)合的特點(diǎn)，因此在基于某種單片機(jī)系統(tǒng)的軟件開(kāi)發(fā)時(shí)，應(yīng)充分了解該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的硬件環(huán)境，同時(shí)也應(yīng)該在系統(tǒng)設(shè)計(jì)與硬件設(shè)計(jì)階段，對(duì)軟件設(shè)計(jì)有一個(gè)大體的規(guī)劃。因此，本文在介紹室內(nèi)機(jī)控制器功能的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)討論如何用軟件實(shí)現(xiàn)該室內(nèi)機(jī)的功能。

一：PIC16C71的問(wèn)題和對(duì)策

問(wèn)題1：在芯片進(jìn)入低功耗睡眠模式 (SLEEP MODE)后，其振蕩腳將處于浮態(tài)，這將使芯片的睡眠功耗上升，比原手冊(cè)中的指標(biāo)高了10μA以上。

對(duì)策：在振蕩腳OSC1和地 (GND)之間加一10MΩ電阻可防止OSC1進(jìn)入浮態(tài)，且不會(huì)影響正常振蕩。

問(wèn)題2：RA口方向寄存器TRISA目前只是一個(gè)4位寄存器，對(duì)應(yīng)于RA0~RA3，并非手冊(cè)中所言是8位寄存器，對(duì)應(yīng)于RA0~RA4，即RA4并沒(méi)有相應(yīng)的輸入/輸出方向控制位，它是一個(gè)具有開(kāi)極輸出，施密特輸入I/O腳。

對(duì)策：避免使用對(duì)RA口進(jìn)行讀-修改-寫(xiě)指令（如BCF RA， BSF RA），以免非意愿地改變RA4的輸入/輸出狀態(tài)。對(duì)于RA口的操作應(yīng)采用寄存器的操作方式（MOVWF RA）。

問(wèn)題3：當(dāng)CPU 正在執(zhí)行一條對(duì)INTCON寄存器進(jìn)行讀-修改-寫(xiě)指令時(shí)，如果發(fā)生中斷請(qǐng)求，則讀中斷例程會(huì)被執(zhí)行二次。這是因?yàn)楫?dāng)中斷請(qǐng)求發(fā)生后INTCON寄存器中的GIE位會(huì)被硬件自動(dòng)清零（屏蔽所有中斷），并且程序轉(zhuǎn)入中斷例程入口（0004H）。當(dāng)GIE位被清零后，如果這時(shí)正好CPU在執(zhí)行一條對(duì) INTCON的讀-修改-寫(xiě)指令（如BSF INTCON等），則 GIE位還會(huì)被寫(xiě)回操作重新置1，這樣會(huì)造成CPU二次進(jìn)入中斷例程。

對(duì)策：如果在程序中需對(duì)INTCON的某一中斷允許位進(jìn)行修改，則應(yīng)事先置GIE=0

，修改完成后再恢復(fù)GIE=1。

…………..

BCF INTCON, GIE

BSF INTCON, ×××

BSF INTCON, GIE

…………..

圖1

問(wèn)題4：當(dāng)芯片電壓VDD加電上升時(shí)間大于100μs時(shí)，電源上電復(fù)位電路POR和電源上電延時(shí)器PWRT可能不能起正常的作用，而使芯片的復(fù)位出現(xiàn)不正常（即PC≠?gòu)?fù)位地址）。一般在這種情況下建議不要采用PWRT。

對(duì)策：如果VDD上升時(shí)間很長(zhǎng)，此芯片一般需較長(zhǎng)的電源上電延時(shí)，可靠的電源上電延時(shí)方法如圖1所示，在MCLR端外接復(fù)位電路。

問(wèn)題5：如果在A/D轉(zhuǎn)換中用RA3作為參考電壓輸入，則最大滿量程誤差(NFS)要大于手冊(cè)中的指標(biāo)。實(shí)際情況如表1所示。

表1 A/D滿量程誤差表

VREF源

（5.12V） 滿量程誤差

（NFS）

VDD ＜±1 LSb

RA3 ＜±2.5 LSb

二：PIC16C84的問(wèn)題和對(duì)策

問(wèn)題1：PIC16C84的內(nèi)部的E2PROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的E/W周期偶爾會(huì)超出最大值（10ms）。

對(duì)策：在程序中應(yīng)該用EECON1寄存器中的WR位來(lái)判斷寫(xiě)周期的完成，或是啟用“寫(xiě)周期完成中斷”功能，這兩種方法可保證寫(xiě)入完成。

問(wèn)題2：VDD和振蕩頻率的關(guān)系如表2所示。

VDD 振蕩方式 最高頻率

2V－3V RC， LP 2MHZ，200MHZ

3V－6V RC，XT，LP 4MHZ，200MHZ

4.5V-5.5V HS 10MHZ

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